紫光表示,2017年,长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片,实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB,目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产,主要应用在U盘,SD卡,机顶盒及固态硬盘等领域。
此后,长江存储基于不断的自主研发和创新,推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,它拥有全球同代产品中最高的存储密度,将广泛应用在智能手机,个人电脑,服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。